IDT(Integrated DeviceTechnology，Inc)，宣布为高阶手机推出业界领先的高设计弹性、低功耗、异步双端口(Dual-Ports)新系列接口组件。此款IDT新系列组件可做为处理器之间的桥梁，透过最佳设计弹性，手机设计者能将组件的复杂性降到最小，以提供更佳的设计弹性和缩短上市时程。此外，透过独立电源层技术，此款组件亦能大幅降低整体系统功耗。
IDT 70P2X5 双端口组件藉由ADM(address-data mux)接口，来结合应用程序处理器和基频信号处理器。ADM接口和其他接口相比，拥有较低的I／O针脚数，例如在高阶手机常见的标准异步双端口内存。IDT双端口组件减少了50％的处理器I／O针脚，被释放的针脚可用来支持任何可供差异化的功能。此外，IDT双端口组件亦配置了8个可程序化的I／O，使处理器得以控制和监控其他组件，让手机设计者能赋予更多差异化功能。
内建于IDT低功耗双端口组件中的IDT独立电源层技术，让手机达到真正的待机状态，并提供降低整体处理器子系统功耗的能力，大幅降低功耗，进而延长电池寿命。对于那些使用其他逻辑组件或复合式可程序化逻辑组件(CPLD)来处理复杂电源管理的客户，IDT低功耗双端口组件亦能因为对于零组件的需求降低，进而降低设计复杂度。
IDT亦推出70P2X9 双端口新系列组件。新一代产品能够兼容于IDT现有产品，并提供更佳的产品功能而不需重新设计。为了增加设计弹性，此组件在两端口中都包括了ADM和非ADM操作选择，支持可变核心和I／O电源供应，一个256k密度选择和独立电源层技术。
IDT新的双端口组件目前已可提供采用100针脚BGA封装的样本。
飞兆半导体推出业界最薄的MicroFET(0.55mm)MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)推出全新超薄的高效率MicroFET产品FDMA1027，满足现今便携应用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20VP沟道PowerTrenchMOSFET，FDFMA2P853则是20VP沟道PowerTrenchMOSFET，带有肖特基二极管，并采用2mm×2mm×0.55mmMLP封装。相比低电压设计中常用的3mm×3mm×1.1mm MOSFET，新产品的体积减小55％、高度降低50％。这种薄型封装选项可满足下一代便携产品如手机的超薄外形尺寸需求。
FDMA1027和FDFMA2P853专为更高效率而设计，能够解决影响电池寿命的丰富功能的功率挑战。这些器件采用飞兆半导体专有的PowerTrench MOSFET工艺，能降低传导和开关损耗，提供卓越的功率消耗和降低传导损耗。与采用2mm×2mm SC-70封装类似尺寸的器件比较，FDMA1027和FDFMA2P853提供更低的传导损耗(降低约60％)，并且能够耗散1.4W功率，而SC-70封装器件的功率消耗则为300mW。
飞兆半导体的MicroFET系列提供了具吸引力的优势如紧凑型封装和高性能，能够满足电池充电、负载转换、升压和DC-DC转换的需求。
FDMA1027和FDFMA2P853采用无铅(Pb-free)端子，潮湿敏感度符合IPC／JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均满足欧盟有害物质限用指令(RoHS)的要求。
高通推出全新PC替代产品－KaYak
结合3G网络 Kayak创新设计弭平开发中市场网络联机落差
高通(Qualcomm)宣布推出全新PC替代产品(PC alternative)-Kayak，为新兴市场提供实惠且广泛的高速无线网络。Kayak替代产品运用广布的3G无线宽带，针对那些不易接取有线网络或无法负担费用的市场，提供网络联机服务。桌面计算机原需透过线缆、独立配件或无线装置以进行连网，而Kayak替代产品的创新设计，正好为桌面计算机的无线连网提供新利基。
Kayak替代产品提供设备制造商包含参考设计及建议的软件规格。制造商可充分运用Kayak解决方案所拥有的高整合性、内建连网及其他完整功能，设计出多样的装置。Kayak参考设计使用高通双模Mobile Station Modem(MSM)MSM7xxx系列芯片组，同时提供运算与网络联机能力。以Kayak参考设计为基础的装置将可提供以下功能：
1、采用全功能OperaSoftware浏览器，支持web2.0应用和个人计算机分辨率
2、透过浏览器连结各项web 2.0应用以提高工作效率
3、同时支持电视机与计算机屏幕做为显示器与(或)内嵌式显示器
4、兼容于标准键盘与鼠标等输入设备
5、音乐播放器及(或)3D游戏平台功能
未来，商用化的Kayak终端装置也可能整合Snapdragon解决方案。首批由英业达所制造的Kayak替代产品原型机，将于2009年第一季在东南亚市场进行CDMA2000与WCDMA(UMTS)两种网络的用户测试。
恩智浦针对L波段雷达应用推出最高速RF输出功率器件
基于第六代LDMOS技术的新器件以空前耐用度达到超过50％的功效
恩智浦半导体(NXPSemiconductors)扩张其业界领先的RF Power晶体管产品线，近日推出最新的针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused MetalOxide Semiconductor以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz～1.4GHz的频率之间带来达500W的突破性的RF输出功率。
针对大范围的L波段雷达应用，恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50％)、增益(17dB)和达500W的耐用度。
恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括：
·500W峰值输出功率(在1.4GHz，100μs脉冲宽度，25％占空比时)
·17dB增益
·50％漏极效率
·更佳耐用度
·能够承受高达5dB的过驱动能力
·更佳脉冲顶降(低于0.2dB)
·供电电压50V
·无毒封装、符合ROHS标准
恩智浦的这款器件结合了双极管的功率密度和适用于L波段雷达设计的LDMOS技术优势，其环保的陶