工作中的可控硅，用万用表直流电压档测量应有40 V电压）。在停机后，针对该3只可控硅整流回路进行重点检查，发现其中有两只可控硅的快速熔断器已经损坏，另外有一只可控硅经测量为控制极与阴极反向短路，判断其也已损坏。除去这3个原件外，其余都未发现异常。除此之外又单独对整流控制单元板元件进行了测试，按照其使用说明用其控制36 V电路中灯泡，观察其明亮程度，可以判断出整流控制单元板基本正常，触发信号正常，可以排除因控制单元板发生故障造成的VAR炉故障。
基于上述检查情况，确定更换损坏熔断器和可控硅。
在更换新的两只快速熔断器和一只晶闸管后，重新启动设备，在熔炼过程中无故障迹象，熔炼电流稳定工作在8 500 A，可判断故障基本排除。
2.3 整流元件损坏的原因分析
主回路晶闸管及其控制系统检测很重要。即经常观查整流变压器网侧的三相电流是否平衡，当出现三相电流不平衡时，就意味着设备的主回路系统及其控制系统有故障（既少相整流，现象为设备达不到额定输出状态）。产生此种现象的原因较多。下面就其中几项进行说明。
（1）晶闸管触发不良：晶闸管在工作一定时期后有可能因其自身某些参数的改变，致本来可能触发良好的到后来触发不开，形成少一相整流。此时可在该相晶闸管的脉冲触发变压器线路板盒 JDG-RCP 中的限流电阻 R1 上并接一电阻（50～100 Ω/2W）一试，其作用是加大触发电流。
导致可控硅性能劣化损坏的另外一个主要因素是通态压降损耗及连接损耗共同产生热影响的结果。流过电流大的支路，会使可控硅结温度超过最高允许的125 ℃而损坏，实践证明可控硅器件的表面温度最高不宜超过65 ℃。经综合分析：自耗炉整流可控硅因桥臂均流恶化造成的损坏占60%，因冷却水管路端部被腐蚀堵塞致使可控硅过热损坏占30%，因其他原因（过电压、过电流或瞬态冲击等）损坏的占10%。
多并联可控硅不均流超过标准后，将致使整流器内磁场分布越来越不均匀，从而引起漏磁场局部集中现象加重，造成整流器内涡流损耗和杂散损耗增加。不断增加的内涡流损耗和杂散损耗表现在可控硅内部为热损，可加速可控硅老化，造成最终损坏。
（2）晶闸管本身损坏：晶闸管一般在正常使用条件下不易损坏，但使用日久难免发生。此时可用备件晶闸管更换。晶闸管损坏有3种现象，即主体击穿、断路和门极击穿或断路。具体检测方法为断开晶闸管的一端后，用万用表电阻挡检测晶闸管阳极和阴极两端电阻值，正常应为无穷大。用万用表电阻挡检测晶闸管门极和阴极两端电阻值，正常应在10～20 Ω左右。