“MPW服务组织论坛
暨2008MPW年会”在沪举办
12月16日，由上海集成电路技术与产业促进中心（ICC）主办的“MPW服务组织论坛暨2008MPW年会”在沪成功召开。会议结合了ICC数年来在MPW服务过程中，尤其是在面对中、小企业和科研院所的MPW服务中所积累的经验，结合当前工艺发展趋势和最新动向，从务实的角度探讨了MPW服务如何降低门槛，提高水平，如何为中小企业、科研院所服务，促进自主创新；同时阐述了ICC现有的MPW服务内容、特点和优势。TSMC、SMIC、Chartered三家Foundry也分别在会上介绍了他们工艺的发展情况和技术特点，以及对MPW业务的支持情况和发展趋势。
年会吸引了来自全国各地80多位IC设计企业和科研院所的代表参加，在业界获得了强烈的反响。到目前为止，ICC已经提供了8年的MPW服务，服务的客户数超过300家次，服务的项目数已经超过1000个。
爱德万在京沪成功
举办测试技术研讨会
爱德万测试分别在12月16日和18日在上海和北京成功举办了2008度的测试技术研讨会，参会者包括许多著名厂商，涵盖了IDM厂商，晶圆厂，封测厂，设计公司，院校和科研院所，以及专业媒体等半导体产业链条的组成部分，其中设计公司占到了参会厂商的一半以上。
在测试研讨会中爱德万测试就T2000 GSMF的整体SoC测试功能进行展开，涉及到了降低SoC测试成本，以及消费类，混合信号，RF芯片的新测试需求和方案等方面，涵盖范围广阔内容丰富，并与参会人员在消费类及射频芯片测试方面进行了互动。
应用材料投身 TSV技术研发
看好未来3D IC市场的发展，应用材料日前宣布将加强投入通孔硅（TSV）技术的研发。由于包括DDR4、DRAM及通信芯片的尺寸要求微缩、但速度要求更快、功能要求更强大，因此3D IC需求飞速提升，也带动了TSV技术未来的发展。应用材料表示，未来除了自身研发外，还将与其它相关设备厂商合作研发高整合度、低成本、产品上市时间快速的系统设备。应用材料现有12寸晶圆生产系统，包括光刻、刻蚀、薄膜沉积及化学机械抛光等系统，都可以运用在TSV制程当中。
中芯国际首批45纳米芯片验证成功
中芯国际日前宣布，自2007年12月与IBM签订45纳米低功耗和高性能 bulk CMOS 技术许可协议不到一年，其第一批45纳米产品已成功通过良率测试，标志着其45纳米工艺进入一个新的里程。这一技术目标提前完成，进一步巩固了中芯国际技术领先者的地位。中芯国际已与一系列高端客户签定45纳米代工协定，计划于2009年开始生产。该技术以SPICE模型为支持，有助于畅通设计流程，使客户能尽早计划产品上市时间。
英特尔09年底
将推采用32纳米技术芯片
英特尔公司近日宣布完成了下一代制造工艺的开发工作，进一步把芯片电路缩小至32纳米。英特尔计划将于2009年第四季度推出基于高能效、更密集的晶体管的产品。英特尔即将发布的32纳米论文及报告介绍了新的逻辑技术，融合了第二代高K金属栅极技术、面向关键图案形成层的193纳米浸没式光刻技术以及增强型沟道应变技术。这些特性进一步增强了英特尔处理器的性能和能效。与现有的其它32纳米技术相比，英特尔的制程技术拥有业内最高的晶体管性能和晶体管密度。
Mirics与展讯合作
推出基于CMMB的PCTV应用产品
Mirics半导体公司与展讯通信宣布建立战略合作伙伴关系，双方将针对便携式个人计算机（PC）平台，提供基于中国移动多媒体广播（CMMB）标准的创新嵌入式电视解决方案。目前定位于PCTV应用的完整的硬件和软件参考平台已进入开发的后期阶段，该款解决方案采用了Mirics的FlexiRF集成电路（IC）调谐器技术及展讯的解调器和解码器系统级芯片（SoC）。该款CMMB PCTV参考设计平台将自2008年第四季度起，提供给主要客户和合作伙伴用于电脑平台集成。
采用微捷码软件
实现FPGA芯片设计一次成功
微捷码日前宣布，领先的半导体价值链制造商（VCP）eSilicon公司已采用微捷码（Magma）公司的IC实现软件来设计全球速度最快的现场可编程芯片。通过采用微捷码（Magma）公司的集成化综合和布局布线系统，eSilicon公司能够最大程度提高性能，实现芯片设计一次成功。eSilicon公司的这款FPGA器件是专为新成立的无晶圆厂半导体公司Achronix半异体公司而设计，是这家公司Speedster FPGA系列中首款产品，运行速率最高可达1.5 GHz，在性能上比传统FPGA提高了3倍。
英特儿公司在硅基雪崩光电探测器件研究中取得重要进展
英特尔公司12月8日宣布在硅基雪崩光电探测器（Silicon-based Avalanche Photodetector）研究方面实现了创纪录的高性能，这款雪崩光电探测器使用硅和CMOS工艺实现了有史以来最高的340 GHz“增益-带宽积”。同时也第一次证明了硅光电子元器件的性能可以超过现有的使用磷化铟（InP）等更昂贵材料制造的光电子元器件的性能。英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士表示：“这项研究成果再次展示了硅可以用于制造超高性能的光电产品。除了光学通信，这些硅基雪崩光电探测器还可以应用于传感、成像、量子密码学或生物学等领域。我们期望此项成果能够早日应用于生产。
安森美与TCL设立联合电源实验室
安森美与TCL已在中国开设联合电源实验室，更进一步地满足TCL的液晶 （LCD）和阴极射线管（CRT）电视电源解决方案的需求。这一新实验室座落在TCL多媒体位于深圳的全球研发中心，实验室的联合开发工作的重点放在前沿及高性价比的电源解决方案，用于TCL多媒体业界领先的电视产品。安森美半导体将派常驻现场应用工程师，与TCL多媒体液晶电视和CRT电视产品线的研发团队协同工作。随着这家实验室的设立，安森美半导体在中国开设的联合电源实验室总数量增加到8家。
AccoTest模拟测试技术讲座上海召开
AccoTest模拟测试技术讲座暨新产品STS8200发布会于日前在上海张江召开，会议介绍了AccoTest模拟测试机的V/I源分析和应用意义，Kelvin四线测试在实际中的正确运用和长线测试的影响，浮动源的应用和小信号的在测试中的解决方案。会议还宣布推出新一代模拟混合信号测试系统STS8200，其系统应用了二代V/I源的测试系统和跟高驱动精度的V/I源，每道通16bits，本板（甚至每通道）自带16bits测量单元；微伏级的系统级电压测试表；FLEX PIN功能，可实现硬件扫描和硬件的时间脉冲控制；FLEX CONFIG的系统扩充性及各膜块本板存贮校准数据；该系统可达16bits的并行测试能力；还实现标准测试盒的提供和电缆线的减少。
Spansion推出业界首款65nm 3V MirrorBit?誖 NOR产品
Spansion日前宣布其65nm 3V 512Mb及1Gb高容量MirrorBit?誖 NOR解决方案现已在该公司旗舰级300mm SP1晶圆厂进行量产，首批器件已于本季度初向客户发货。最新推出的65nmMirrorBit GL器件让用户可以直接从闪存执行代码，或者高速映射到DRAM中。基于NOR架构的65nmMirrorBit GL产品旨在实现高可靠性和较长的使用寿命，同时支持标准并行接口，既简化了系统整合，又降低了系统复杂性和成本。
京东方投资1.8亿元
投建TFT-LCD工程实验室
京东方日前表示，为适应公司战略发展的需要，进一步提升公司技术创新能力，公司拟投资1.8亿元，在国家发改委的支持下自主建设TFT-LCD工艺技术国家工程实验室项目。项目内容为建设一条实验线，包括TFT阵列、成盒、测试等相关工序以及配套的辅助设施和建筑物。通过这条实验线的建设，构建四大平台和一个新产品新技术中试基地。四大平台是TFT-LCD及其延伸技术与产品的研发平台、人才培养平台、特种产品的设计与柔性制造平台以及材料和设备验证平台。建设资金将通过国家专项拨款和京东方自有资金解决。
罗姆半导体
增资天津开发区工厂7180万美元
为进一步扩大市场占有率，罗姆半导体（中国）有限公司日前宣布在开发区完成增资7180万美元（79亿日元）工商注册手续，新上大规模集成电路生产线。目前，罗姆半导体（中国）有限公司的投资总额已达3.19亿美元，注册资本1.25亿美元，成为微电子工业区投资规模最大的企业。罗姆株式会社天津厂区占地约11万平方米，已利用土地6万平方米，建成厂房4.2万平方米、研发基地1.2万平方米。
时代飞腾发布低成本高性能便携式
数字电视解决方案
近日时代飞腾推出基于TI硬件平台的低成本高性能便携式数字电视解决方案，该方案支持DVB-T标准，具有强大的媒体处理能力。方案采用超低功耗技术，显着增加产品的续航能力给消费者带来更好的使用体验。方案的完善性将极大程度缩短终端产品的研发时间，超低成本将为OEM带来极大的成本效益。该款低成本高性能便携式数字电视解决方案具有很强的灵活性，独特的X11平台系统可轻松地移植到不同的硬件平台，方便OEM根据自己的产品定义选择不同性能和成本的硬件平台。其参考设计采用3.5寸320*240TFT液晶显示屏和2G闪存存储，并可根据客户需求定制屏幕和存储器大小。
S2C 与Phylinks一起为中国带来
高速PHY IP的解决方案
S2C日前宣布与Phylinks，一起在中国推广一系列的PHY IP。Phylinks的IP产品包括了PCI Express Gen 1, Gen 2; SATA Gen 1, Gen 2; USB1.1, 2.0, OTG; IEEE 1394a, 以及高速的SerDes PHY。Phylinks的IP已经被应用到世界上超过2000万颗基于不同工艺的芯片中，这些工艺范围从0.25微米到65纳米。此外，Phylinks的IP核的设计方式是基于模块化的架构，这使得IP能够方便地根据客户的特定需求进行定制，并且能能方便的转化到所需要的工艺上。
ADI公司与四方继保公司联合实验室
落户北京
ADI公司与北京四方继保自动化有限公司联合宣布，由双方共同成立的ADI -四方联合实验室正式挂牌落户北京。ADI-四方联合实验室的成立旨在为双方提供一个便捷、高效的技术与经验交流平台，以促进双方合作不断向纵深发展。联合实验室的成立不仅便于双方就目前合作中出现的问题进行交流和商讨，为合作的顺利展开提供有效的保证，并为四方及时了解并采用ADI的最新技术和应用提供了一个高效的途径。
SEMI PV Group宣布SOLARCON India和印度光伏顾问委员会诞生
SEMI宣布，将成立印度光伏顾问委员会（India PV Advisory Committee），并将于2009年在印度Hyderabad举行光伏展会SOLARCON India。所有相关活动均由SEMI PV Group承办。印度光伏顾问委员会由领先的太阳能电池、模组、设备和材料制造商的高管组成，SOLARCON India将关注印度在全球PV产业链中的动态，尤其关注印度的光伏制造，计划将于2009年11月9日至11日举行。
道康宁将投资十亿美元
急速发展太阳能产业
美国道康宁公司近日宣布将为急速发展的太阳能科技产业投资数十亿美元，用于为其提供关键材料。道康宁公司将开始生产高纯度的单硅烷，一种用于制作薄膜太阳能电池和液晶显示器的专业气体。这项投资包括在密西根的Hemlock半导体公司的多晶硅生产基地附近建立一个新的单硅烷生产设备。这项投资还包括高达30亿美金的在道康宁的合资企业Hemlock半导体公司和Hemlock半导体LLC上的投资。这些公司将扩大Hemlock半导体公司在密西根现存的生产设备并在田纳西的克拉克斯威尔建立新的生产基地以扩大多晶硅这种制造大多数太阳能电池都必须的基石的生产能力。
巨能科技投资1.45亿美元
在大连建中国最大LED芯片厂
从大连市信息产业局获悉，总部设在香港的台湾巨能科技公司已决定投资1.45亿美元在大连高新区建立LED（发光二极管）芯片生产厂。全部达产后，大连巨能公司将成为中国最大的LED芯片生产厂。巨能科技的投资显示了台资在大陆“北拓”步伐的加快，而大连已成为台资在东北地区的首选城市。
智原科技推出90nm和65nm的微型硅智财组件库miniLibTM
智原科技日前宣布推出其90nm和65nm的miniLibTM微型硅智财组件库（cell library），且包含标准制程（SP）与低漏电流（LL）制程。miniLibTM的优势在于维持既有的效能下，还可节省高达约15%的面积，同时，以90nm SP为例，动态功率和静态功率还能分别减少15%和20%。此微型硅智财组件库的推出，对尺寸以及功率较为敏感的设计，例如网络平台、无线基频以及多媒体处理器等应用，无疑提供了最佳的解决方案! 此两款已通过硅验证（silicon proven）的miniLibTM，目前已经可以供货。。
iSuppli首次发布芯片库存红色警报
市场调研公司iSuppli日前称，由于需求降低的速度超过预期，今年第四季度数码设备用芯片的库存数量可能高达上一季度的3倍。iSuppli指出：“库存过高将影响半导体产品的价格、营收和收益率，并将阻碍半导体行业从目前的衰退中复苏，即使需求反弹也只是杯水车薪。”iSuppli预计，在第四季度末，积压在电子产品供应链中的芯片价值可能会超过104亿美元，较第三季度末时的38亿美元增长近两倍。该机构指出，网络泡沫破灭之初时的库存过剩为134亿美元。
针对第四季度半导体库存上升的现象，iSuppli首次发出了红色警报。同一天，Gartner发表了极为悲观的2009年半导体行业营收预期，该公司预计，明年全球芯片营收为2192亿美元，同比将下降16.3%。上周，Gartner下调今年芯片行业营收预期，下调幅度为4.4%。
联电积极开展18英寸晶圆研发
联华电子（United Microelectronics Corporation，UMC，联电）日前紧随半导体代工龙头台积电宣布，该公司也在积极开展18英寸晶圆研发。联电CEO Shih-Wei Sun表示，正是由于目前全球经济疲软，联电的研发步伐才不能停止，正如俗话说的该出手时就出手。
国际半导体研发联盟指出，随着制程技术达到32纳米甚至22纳米，18英寸晶圆项目目前的进展相当成功，这还得感谢存储业厂商。目前国际半导体研发联盟成员厂商台积电、三星电子以及英特尔都已经公开表示支持18英寸晶圆研发。联盟现已推出了150片18英寸晶圆样品，以供厂商进一步研发和测试。
Intersil收购
电源管理公司Zilker Labs
模拟芯片制造商Intersil公司已经签署了一项收购Zilker Labs公司的最终协议，后者是一家私有的无晶圆半导体公司。Zilker Labs公司所谓的数字直流技术是一个混合信号电源转换和管理的架构。该技术集成了数字环路同步开关稳压器、自适应MOSFET驱动器和与芯片连接的数字控制接口。这是该公司在过去5个月内宣布的第三次收购活动。由于芯片市场的衰退和全球经济危机，Intersil近期通过了一项裁员全球员工的9%的计划。
LG Display开发出
能够使用太阳能的液晶面板
全球第二大液晶面板制造商LG Display近日表示该公司已开发出能够使用太阳能的液晶面板。该公司在声明中表示这种液晶面板在室内可以使用普通电源，在室外则可以使用太阳能。该公司管理人员表示，通过使用太阳能，新的液晶面板所需要消耗的电能可以降至普通液晶面板的四分之一。LG Display表示它将在明年一月的国际消费电子产品展（CES）上展示这款产品。
NEC开发出大型液晶显示器
用次世代传输技术
据光电新闻报道，日本NEC Electronics开发出大型液晶显示器用次世代传输技术。是一项改变影像数据传输至显示器的连接技术，可将必要的配线减少一半以上，并且有助于达到显示器厚度及周围边缘部分的小型化目标。另外，在提高画质的液晶高速驱动要求下，还可控制配线的数量，将于2009年将新技术提供给大型液晶显示器制造商，计划达成实用化的目标。
意法半导体芯片
启动中国最大自动抄表项目
意法半导体宣布，中国有史以来最大的自动抄表（AMR）项目将选用意法半导体的高集成度电力线收发器芯片。基于意法半导体芯片的电力线通信模块，配合RS485等传统通信技术，将用于中国最大的石油天然气公司中国石油（CNPC）的多表合一自动抄表系统。通过该系统，中国石油可以远程采集和管理全中国范围内100多万户的水、电、气、热的使用信息。
东芝、IBM和AMD联合开发
世界上最小的FinFET SRAM单元
东芝、IBM和AMD日前宣布，三方采用FinFET共同开发了一种静态随机存储器（SRAM）单元，其面积仅为0.128平方微米，是世界上最小的实用SRAM单元。三家公司的研究人员使用高电介质金属栅极材料制成了一个大规模FinFET SRAM单元。这是迄今为止最小的非平面FET SRAM单元，面积仅有0.128μm2；与之前报道的0.274μm2非平面FET单元相比，该集成单元面积缩小了50%还多。为了达到这个目标，开发团队优化了工艺，特别是使材料（包括高电介质金属栅极）在非平面FinFET结构的垂直边面沉积的工艺和后续的清洗工艺。
科胜讯采用ADI音频编解码器产品
扩展市场范围
科胜讯系统公司宣布与美国模拟器件公司（Analog Devices, Inc）签署制造、分销和支持 ADI PC 音频编解码器产品线的独占协议。音频编解码编码器和/或解码数字数据流可帮助用户在个人电脑上收听音频或音乐。ADI 的 PC 音频编解码器解决方案面向台式电脑、笔记本电脑和各种 PC 应用，是科胜讯音频产品组合的补充。ADI 的 PC 音频工程支持团队现已成为科胜讯影像和 PC 媒体部的一部分，位于麻省沃尔瑟姆（Waltham, Mass）的公司工厂。进一步的交易条款尚未公布。科胜讯创新的音频产品组合包括高清音频集成电路、高清音频编解码器及用于个人电脑的系统级芯片（SoC）解决方案、PC 外设音响系统、扬声器、笔记本扩展底座、VoIP 扬声器电话、内部通信和音频监控应用。
Hynix发布
首款54nm制程的2GB移动DRAM
日前，韩国半导体制造商Hynix（海力士）发布了目前世界第一款采用54nm工艺的2GB移动DRAM。Hynix突破了目前采用MCP封装以及PoP封装的移动DRAM只有最高1GB容量密度的限制，成功实现了2GB的容量密度。新产品工作在1.2V的电压下，传输速度最高可达到400Mbps，而且通过32-bit的IO每秒可处理1.6Gigabytes的数据，其功耗也比目前的少很多。
韩国推出全球首个4G终端芯片
韩国LG电子公司日前宣布开发成功全球首个4G终端芯片—LTE（LongTermEvolution简称）终端调制解调芯片，该芯片符合现有的全部LTE标准，集成了现有的LTE技术。其最高上行、下行的数据传输率分别为100Mbps和50Mbps，约为目前HSDPA技术的5倍，芯片边长约为13毫米。LTE技术已经领先WIMAX乃至UMB成为主流的4G技术，获得多国主流电信运营商的支持。根据市场调查机构预测，2015年全球LTE终端市场将达到4亿4千万部的规模。
Cadence 公布新一代并行电路仿真器
Cadence日前宣布推出新一代电路仿真器，这一产品具有业界常用的Virtuoso Spectre?誖 Circuit Simulator的完整精确性，用于解决所有工艺节点中最大型与最复杂的模拟与混合信号设计。作为Cadence多模式仿真解决方案（Cadence Multi-Mode Simulation，MMSIM）7.1版的一个关键部分，这种新型仿真器结合了可靠的Cadence仿真技术以及一种突破性的并行电路解算器，并配备一个全新设计的引擎，可以高效驾驭多重处理计算平台的性能。
三星开发出非结晶氧化物
TFT速度为全球最快
韩国三星尖端电子研究所（SAIT）宣布，开发出了高速非结晶氧化物TFT，该TFT的速度为全球最快。通过将原来的氧化物TFT的单信道结构改成双信道，电子迁移率达到了原来的3倍，约为130cm2 ·Sec，并且还降低了阈值电压。非结晶氧化物TFT还可应用于像素为全高清4倍的高分辨率UD（ultra definition）液晶面板、有源矩阵有机EL面板、柔性显示器、太阳能电池、LED及传感器等。该TFT除了可采用目前的液晶面板制造工序之外，还可在面板上嵌入周边电路，因此能够大幅削减成本。另外，该TFT采用透明设计，因此还可在护目镜、建筑物玻璃及汽车玻璃上使用。
中盛光电签下我国光伏行业
最大海外订单
据新华日报报道，中盛光电集团近日与德国一家知名电站投资商签订了50兆瓦价值25亿人民币的太阳能电站承包建设工程合同，成为我国光伏行业的最大一笔海外订单。
今年6月，中盛光电集团首先提出了“全球第三代光伏电站”的概念，并以集团自主研发的系列系统作为主打，与第一代和第二代光伏电站相比，第三代光伏电站除了将系统发电量提高至少30%以外，还具有全智能化的电脑监控系统等。用“全球第三代光伏电站”的创新性理念建设的该电站主要向南欧国家供电，建成之后，可以满足1.5万户家庭用电。
台积电发布28nm工艺
首次采用了高-k和HKMG技术
日前，台积电发布了28nm工艺技术。该技术采用193nm的液浸光刻，并首次采用HKMG技术。晶体管的栅长最短为24nm。EOT（等效氧化膜厚度）为0.9nm，与该公司在07年IEDM上发布的未采用HKMG的32nm工艺技术的EOT值1.6nm相比，大幅削减了厚度。布线层采用10层铜布线。晶体管的导通电流（截止电流）方面，nMOS为1360μA/μm（80nA/μm），pMOS为960μA/μm（40nA/μm）。与32nm技术相比，截止电流的值提高到了2倍左右。
华为加入开放手机联盟 明年推出基于Android平台的智能手机
华为日前宣布加入开放手机联盟（Open Handset Alliance），并将于明年推出基于Android（谷歌操作系统）平台的智能手机。自去年11月成立以来，开放手机联盟成员以Android平台为基础，继续推进一种由操作系统、中间件、用户友好界面和应用软件组成的全面整合的移动“软件栈”。在首批加入该联盟的成员中，有许多厂商已成为华为的合作伙伴，其中包括中国移动、西班牙电信和T-Mobile等。
年产1000吨多晶硅美资项目落户蠡县
据中国河北经济网报道，蠡县人民政府和美国新能源技术公司的代表就年产1000吨多晶硅项目签订了合作意向书 日前，蠡县人民政府和美国新能源技术公司的代表就年产1000吨多晶硅项目签订了合作意向书。该项目由美国新能源技术公司独资建设，产品主要为满足太阳能电池生产使用的太阳能级多晶硅，项目选址在蠡县县城工业园区，总投资66972万元，将于2009年2月开工建设，同年12月竣工投产。项目建成达产后，可年产1000吨多晶硅，实现年销售收入95000万元，利税22725万元，新增就业320人。
尚德电力光伏建筑一体化项目
正式签约上海世博会
近日，尚德电力正式与2010年上海世博会能源供应商申能集团签约，宣布为上海世博园区中国馆和主题馆设计、安装 3MW 太阳能光伏发电系统。该项目预计将于2009年6月完成，届时，中国最大光伏建筑一体化太阳能屋顶将耸立浦江岸的上海世博园，体现出“绿色能源服务世博”的太阳能替代传统能源理念，建成后将产生重要的引领和示范效应，成为本届世博会绿色能源利用的一大亮点。
亚科鸿禹成为
Tensilica原型验证合作伙伴
Tensilica日前宣布，位于北京的亚科鸿禹科技有限公司成为Tensilica最新SoC（片上系统）原型合作伙伴，在快速发展的中国市场，使其可以对Xtensa可配置处理器和钻石系列标准处理器内核进行模拟仿真。亚科鸿禹公司在设计Altera FPGA开发板方面具有独到的专业技术，在芯片生产之前，该FPGA开发板经常被用来对芯片设计进行原型验证。
Numonyx 发布41纳米32Gb闪存技术
由Intel和意法半导体合资的Numonyx近日公布了最新的32Gb（4GB）闪存技术。这款芯片采用了更小的41纳米制程，可以在同等面积下将闪存容量提升一倍，也就是说MMC大小的存储面积上就可以存32GB的数据，而microSDHC目前最大为8GB。
美光联手Sun公司
延长闪存存储使用寿命
美光科技近日宣布，美光与Sun公司合作开发了新的单层单元（SLC）企业级NAND技术，能够大幅延长企业级应用的闪存存储使用寿命。双方通过合作，开发了可重复写入次数达100万次的量产型设备。这一里程碑将有助于行业为Sun、美光等公司创造的固态存储的新用途做好准备。采用这项新技术，可写入/擦除次数能达到市场上现有NAND技术的最高水平。
ST-NXP Wireless
开始量产3G/UMA芯片平台
ST-NXP Wireless日前宣布全球首款3G 非授权移动接入（UMA）芯片组平台已经投入量产，为固网移动融合手机实现更强大的多媒体功能。7210 UMA蜂窝系统解决方案是首款在单个解决方案中结合UMA和3G技术的产品，能帮助手机制造商打造更多种的高速手机，增强竞争优势。用户可通过双模3G UMA手机在UMTS蜂窝网络、GSM/EDGE网络、家用或企业级WiFi接入点之间无缝漫游和切换。7210 UMA蜂窝系统解决方案不仅在连接性能和语音质量上有重大改进，还能在UMA网络上提供快于每秒1Mbits的数据传输速度。这一新的进展意味着用户只需一个手机，就能在速度极高的3G或WiFi网络上快速浏览网页，享受视频流服务及访问社交网络；只要进入WiFi区域，用户就能下载网络内容，或拨打语音电话，费用比蜂窝网络低。
华邦选用惠瑞捷V5400系统
测试闪存晶圆
惠瑞捷（Verigy）公司宣布，内存供货商华邦电子（WinbondElectronics）已采购多套VerigyV5400闪存测试系统，以测试SpiFlash序列式闪存的晶圆。这些内存采用序列外围接口（SPI），广泛使用于PC、移动电话和其它移动装置中。华邦电子选择V5400的原因在于该闪存测试系统的成本低于其它系统，且V5400测试系统在台湾安装的数量相当庞大，更容易提供客户需要的服务。华邦电子原本即已采用惠瑞捷V5000系列旗下的V5000e工程开发工作站，现在，只要将既有的测试程序移转到V5400系统上，即可执行量产测试，效率超高。
海力士半导体
获得6亿美元银行新贷款
据国外媒体报道，韩国海力士半导体取得了迫切需要的6亿美元融资。内存芯片厂商为了求生存，均积极筹措现金，并持续减产。然而分析师多指出，这些措施仅能保命，无法让产业恢复健全发展，未来数季产业将进行整合。全球第二大动态随机存取内存（DRAM）制造商海力士半导体的最大股东——韩国外换银行日前表示，海力士将取得8千亿韩元（5.98亿美元）银行新贷款，其中包括发行新股。
住友电工收购
富士通化合物半导体部门
日本富士通（Fujitsu）已把所持有的化合物半导体供应商EudynaDevicesInc.的股权出售给住友电工（Sumitomo），继续推进重组工作。富士通持有大约2,968万股Eudyna，将全部由住友电工收购。富士通（东京）出售Eudyna是为了削减成本和弥补亏损。双方表示：“住友电工将收购EudynaDevices，这是一项战略行动，将通过增加新产品和技术来更好地服务于住友电工的庞大客户基础，从而扩大市场份额。”住友电工和富士通将根据双方的基本协议继续进行谈判，计划在2009年4月1日完成股权转让。
展讯联合锐合通信发布
世界首款TD-SCDMA/GSM
展讯通信与上海锐合通信近日联合宣布成功开发出世界首款具有可视电话功能的TD-SCDMA/GSM双模无线通讯模块。此次展讯联合锐合通信推出的TD-SCDMA/GSM双模无线通讯模块TM610，是专为无线可视固话设计的，该模块支持TD-SCDMA/GSM双模，可以实现GSM网络和TD-SCDMA网络间的无缝自动切换，支持大屏幕彩屏，支持天气预报、手机报、快讯、MP3背景音乐等多种应用功能，支持可视电话、大容量数据高速下载等3G的特色功能，具有开发简易，性能稳定，结构紧凑的特点，为开发功能丰富的无线可视固话产品奠定了基础。
赛普拉斯和凌讯科技携手推出
全球首款 USB TV 收发器参考设计
赛普拉斯和凌讯科技日前联合推出一款 DTMB （数字地面多媒体广播 — 一种 DTV 标准）USB 收发器参考设计。运用凌讯 MoBLTVTM 参考设计，可以快速开发出高性能 DTMB 收发器，实现在 PC 和笔记本电脑上播放电视节目。该设计采用赛普拉斯的 EZ-USB? FX2LP 高速 USB 控制器驱动凌讯科技的 LGS-8GL5/LGS-8G75 解调器。DTMB 标准同时覆盖固定终端和移动终端，其最终目标是服务于中国半数以上的电视观众。
明导国际Olympus-SoC布局
已获台积电测试认可
明导国际（Mentor Graphics）日前正式宣布Olympus-SoC TM布局绕线系统针对台积电40纳米制程的芯片设计流程已获台积电测试认可，并立即供应客户使用。该项测试包含了手持式组件与无线装置所用的高效率40纳米低功耗（LP）制程以及效能导向的中央处理单元（CPU）、图形处理单元（GPU）、游戏机台及网络组件所用的40纳米通用型（G）制程。Olympus-SoC提供多角多模集成电路实现平台使得时序、功耗、讯号完整性及制造过程中的变异性等因素能够同时进行最佳化。该项解决方案已在各种不同应用领域中完成了许多流片成功（tape-out）的工作而获得充分的验证。